PN结是结中一种半导体器件，由p型半导体和n型半导体组成。载流当p型半导体与n型半导体通过接触形成PN结时，移动会形成一个电场，形成称为内建电场。流包

在PN结中，结中载流子移动形成的载流电流包括漂移电流和扩散电流。漂移电流是移动由于电场力作用下，载流子在半导体内部移动而产生的形成电流。扩散电流是流包由于载流子在高浓度区向低浓度区扩散而产生的电流。

在PN结正向偏置时，结中p型半导体的载流空穴向n型半导体的电子注入，形成载流子。移动由于内建电场的形成作用，电子和空穴会向PN结中心移动。流包电子和空穴相遇后会发生复合，释放出能量，产生电流。

在PN结反向偏置时，内建电场会阻止载流子移动，因此只有极少数载流子能够通过。这些载流子会在PN结不同位置产生漂移电流和扩散电流，形成反向漏电流。

总之，PN结中载流子移动形成的电流包括漂移电流和扩散电流，在正向偏置时，载流子会产生复合，释放出能量，形成电流，在反向偏置时，只有极少数载流子能够通过，形成反向漏电流。这些电流的特性在PN结半导体器件中具有重要的应用价值。