igbt整流与可控硅整流

随着现代电子技术的整流不断发展，电力电子器件也在不断更新换代。可控IGBT整流和可控硅整流作为两种常见的硅整电力电子器件，各具特点，整流应用领域也不尽相同。可控

IGBT整流是硅整一种新型的功率半导体器件，它是整流由MOSFET和BJT的结合体。其结构与普通MOSFET相似，可控但在基区加入P+掺杂，硅整形成PNP型BJT。整流IGBT整流器具有导通电压低、可控导通电阻小、硅整开关速度快、整流耐压高等优点。可控IGBT整流器的硅整主要应用领域是高功率应用，如大型电机驱动、电力变换器等。

可控硅整流器是一种常见的电力电子器件，其主要由可控硅和二极管组成。可控硅整流器具有导通电压低、导通电阻小、可控性强、耐压高等优点。可控硅整流器的主要应用领域是低功率应用，如交流电源、直流电机调速、电磁炉等。

综上所述，IGBT整流和可控硅整流各具特点，应用领域也不尽相同。在高功率应用领域，IGBT整流器具有更好的性能表现；在低功率应用领域，可控硅整流器具有更广泛的应用。随着电力电子技术的不断发展，这两种电力电子器件的应用领域也在不断拓展，未来它们将会有更广泛的应用。